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TF ANALYZER 2000E是一款擴(kuò)展性的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 1000 TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，適用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷及鐵電器件等分析測(cè)試。

內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。 應(yīng)用領(lǐng)域： 鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn) 生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制，以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過(guò)程 在MHz的操作速度下，單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù) 優(yōu)點(diǎn)： 生產(chǎn)過(guò)程的工藝優(yōu)化 在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試 適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)

本設(shè)備主要用來(lái)研究電子陶瓷材料的遲豫性能，也就是介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開(kāi)，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。 技術(shù)說(shuō)明：

雙光束激光干涉儀專門(mén)用于壓電薄膜的蝴蝶曲線和縱向壓電系數(shù)d33的測(cè)試。 這一臺(tái)適合于從小尺寸薄膜到8英寸晶圓表征的雙光束激光干涉儀。 半自動(dòng)的系統(tǒng)用于8“晶圓上的MEMS器件的壓電性和電性相關(guān)性能的測(cè)試。 大量樣品測(cè)試的重復(fù)精度可達(dá)2%以上。

熱釋電性能測(cè)試儀 aixPYM (Pyroelectric Measurement) 本系統(tǒng)主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電性能測(cè)試。 薄膜材料變溫范圍：-196℃到+600℃； 塊體材料變溫范圍：室溫到200℃、室溫到600℃、室溫到800℃、-100℃到+600℃、-184℃到+315℃五種夾具可選。